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小功率可控硅測(cè)試儀型號(hào):DBC-022/032

更新時(shí)間:2018-03-27點(diǎn)擊次數(shù):3052

小功率可控硅測(cè)試儀型號(hào):DBC-022/032

專(zhuān)門(mén)針對(duì)小功率可控硅研制開(kāi)發(fā)的測(cè)試儀,可測(cè)試各種小型塑封管,型號(hào)包括 BTA16、MCR100-6、T410等。可測(cè)試參數(shù)有:伏安特性、觸發(fā)特性等,測(cè)試準(zhǔn)確,重復(fù)性好。
  峰值電壓測(cè)試范圍: 0-2500V
  峰值漏電流測(cè)試范圍: 0-2000uA,0-100mA
  觸發(fā)電壓測(cè)試范圍: 0-5V
  觸發(fā)電流測(cè)試范圍: 5-500uA,0-200mA

 

 

晶閘管朗涌電流測(cè)試臺(tái) 型號(hào):DBC-101-ITSM

簡(jiǎn)介
DBC-101-ITSM晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)的測(cè)試方法符合國(guó)標(biāo),用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過(guò)載能力,主回路采用LC振蕩直接放電法,浪涌電流接近正弦半波??刂苹芈凡捎脝纹瑱C(jī)控制,所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的*設(shè)備。
技術(shù)指標(biāo):
1.ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
2.ITSM測(cè)試范圍:500A—6000A,分辨率10A,精度±5%,數(shù)字表顯示。
3.VRM測(cè)試范圍:200V—2000V,分辨率10V,精度±5%,數(shù)字表顯示。
4.測(cè)試頻率:?jiǎn)未巍?br />5.設(shè)備配有示波器供觀(guān)看反向伏安特性波形

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